工業(yè)氣體分類(lèi)——標準氣體、高純氣體、特種氣體
文章出處:本站 人氣:2795 發(fā)表時(shí)間:2019-12-06 14:45:37
氣體工業(yè)名詞術(shù)語(yǔ)(標準氣體、高純氣體、特種氣體)
1.特種氣體 (Specialty gases) :指那些在特定域中應用的, 對氣體有特殊要求的純氣、高純氣或由高純單質(zhì)氣體配制的二元或多元混合氣。特種氣體門(mén)類(lèi)繁多, 通??蓞^分為電子氣體、標準氣、環(huán)保氣、醫用氣、焊接氣、殺菌氣等, 廣泛用于電子、電力、石油化工、采礦、鋼鐵、有色金屬冶煉、熱力工程、生化、環(huán)境監測、醫學(xué)研究及診斷、食品保鮮等域。
2. 標準氣體 (Standard gases) :標準氣體屬于標準物質(zhì)。標準物質(zhì)是高度均勻的、良好穩定和量值)準確的測定標準, 它們具有復現、保存和傳遞量值的基本作用, 在物理、化學(xué)、生物與工程測量域中用于校準測量?jì)x器和測量過(guò)程, 評價(jià)測量方法的準確度和檢測實(shí)驗室的檢測能力, 確定材料或產(chǎn)品的特性量值, 進(jìn)行量 值仲裁等。大型乙烯廠(chǎng)、合成氨廠(chǎng)及其它石化企業(yè), 在裝置開(kāi)車(chē)、停車(chē)和正常生產(chǎn)過(guò)程中需要幾十種純氣和幾百種多組分標準混合氣, 用來(lái)校準、定標生產(chǎn)過(guò)程中使用的在線(xiàn)分析儀器和分析原料及產(chǎn)品質(zhì)量的儀器。標準氣還可用于環(huán)境監測, 有毒的有機物測量, 汽車(chē)排放氣測試, 天然氣BTU 測量, 液化石油氣校正標準, 超臨界流體工藝等。標準氣視氣體組分數區分為二元、三元和多元標準氣體; 配氣準度要求以配氣允差和分析允差來(lái)表征;比較通用的有SE2M I 配氣允差標準, 但各公司均有企業(yè)標準。組分的低濃度為10- 6級, 組分數可多達20余種。配制方法可采用重量法, 然后用色譜分析校核, 也可按標準傳遞程序進(jìn)行傳遞。
3、電子氣體 (Elect ron ic gases) :半導體工業(yè)用的氣體統稱(chēng)電子氣體。按其門(mén)類(lèi)可分為純氣、高純4 _6 m+ p- _4氣和半導體特殊材料氣體三大類(lèi)。特殊材料氣體主要用于外延、摻雜和蝕刻工藝;高純氣體主要用作稀釋氣和運載氣。電子氣體是特種氣體的個(gè)重要分支。電子氣體按純度等級和使用場(chǎng)合,可分為電子級、L S I (大規模集成電路) 級、VL S I (超大規模集成電路) 級和UL S I (特大規模集成電路)級。
4. 外延氣體 (Cp itax ial gases) :在仔細選擇的襯底上采用化學(xué)氣相淀積(CVD) 的方法生長(cháng)層或多層材料所用氣體稱(chēng)為外延氣體。硅外延氣體有4 種, 即硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀積, 多晶硅淀積, 淀積氧化硅膜, 淀積氮化硅膜, 太陽(yáng)電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積。外延生長(cháng)是種單晶材料淀積并生長(cháng)在襯底表面上的過(guò)程。此外延層的電阻率往往與襯底不同。
5. 蝕刻氣體 (Etch ing gases) :蝕刻就是把基片上無(wú)光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉, 而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來(lái), 這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是, 圖形邊緣整齊, 線(xiàn)條清晰, 圖形變換差小, 且對光刻膠膜及其掩蔽保護的表面無(wú)損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱(chēng)蝕刻氣體, 通常多為氟化物氣體, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻由于蝕刻方向性強、工藝控制準確、方便、無(wú)脫膠現象、無(wú)基片損傷和沾污, 所以
其應用范圍日益廣泛。
1. 特種氣體 (Specialty gases) :指那些在特定域中應用的, 對氣體有特殊要求的純氣、高純氣或由高純單質(zhì)氣體配制的二元或多元混合氣。特種氣體門(mén)類(lèi)繁多, 通??蓞^分為電子氣體、標準氣、環(huán)保氣、醫用氣、焊接氣、殺菌氣等, 廣泛用于電子、電力、石油化工、采礦、鋼鐵、有色金屬冶煉、熱力工程、生化、環(huán)境監測、醫學(xué)研究及診斷、食品保鮮等域。
2、標準氣體 (Standard gases) :標準氣體屬于標準物質(zhì)。標準物質(zhì)是高度均勻的、良好穩定和量值準確的測定標準, 它們具有復現、保存和傳遞量值的基本作用, 在物理、化學(xué)、生物與工程測量域中用于校. d( [準測量?jì)x器和測量過(guò)程, 評價(jià)測量方法的準確度和檢測實(shí)驗室的檢測能力, 確定材料或產(chǎn)品的特性量值, 進(jìn)行量值仲裁等。大型乙烯廠(chǎng)、合成氨廠(chǎng)及其它石化企業(yè), 在裝置開(kāi)車(chē)、停車(chē)和正常生產(chǎn)過(guò)程中需要幾十種純氣和幾+百種多組分標準混合氣, 用來(lái)校準、定標生產(chǎn)過(guò)程中使用的在線(xiàn)分析儀器和分析原料及產(chǎn)品質(zhì)量的儀器。標準氣還可用于環(huán)境監測, 有毒的有機物測量, 汽車(chē)排放氣測試, 天然氣BTU 測量, 液化石油氣校正標準, 超臨界流體工藝等。標準氣視氣體組分數區分為二元、三元和多元標準氣體; 配氣準度要求以配氣允差和分析允差來(lái)表征;比較通用的有SE2M I 配氣允差標準, 但各公司均有企業(yè)標準。組分的低濃度為10- 6級, 組分數可多達20余種配制方法可采用重量法, 然后用色譜分析校核, 也可按標準傳遞程序進(jìn)行傳遞。
3、 電子氣體 (Elect ron ic gases) :半導體工業(yè)用的氣體統稱(chēng)電子氣體。按其門(mén)類(lèi)可分為純氣、高純氣和半導體特殊材料氣體三大類(lèi)。特殊材料氣體主要用于外延、摻雜和蝕刻工藝;高純氣體主要用作稀釋氣和運載氣。電子氣體是特種氣體的個(gè)重要分支。電子氣體按純度等級和使用場(chǎng)合,可分為電子級、L S I (大規模集成電路) 級、VL S I (超大規模集成電路) 級和UL S I (特大規模集成電路)級。
4. 外延氣體 (Cp itax ial gases) :在仔細選擇的襯底上采用化學(xué)氣相淀積(CVD) 的方法生長(cháng)層或多層材料所用氣體稱(chēng)為外延氣體。硅外延氣體有4 種, 即硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀積, 多晶硅淀積, 淀積氧化硅膜, 淀積氮化硅膜, 太陽(yáng)電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積。外延生長(cháng)是種單晶材料淀積并生長(cháng)在襯底表面上的過(guò)程。此外延層的電阻率往往與襯底不同。
5. 蝕刻氣體 (Etch ing gases) :蝕刻就是把基片上無(wú)光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉, 而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來(lái), 這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是, 圖形邊緣整齊, 線(xiàn)條清晰, 圖形變換差小, 且對光刻膠膜及其掩蔽保護的表面無(wú)損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱(chēng)蝕刻氣體, 通常多為氟化物氣體, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻由于蝕刻方向性強、工藝控制準確、方便、無(wú)脫膠現象、無(wú)基片損傷和沾污, 所以其應用范圍日益廣泛。
6. 摻雜氣體(Dopant Gases):在半導體器件和集成電路制造中, 將某種或某些雜質(zhì)摻入半導體材料內, 以使材料具有所需要的導電類(lèi)型和定的電阻率, 用來(lái)制造PN結、電阻、埋層等。摻雜工藝所用的氣體摻雜源被稱(chēng)為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體(如氬氣和氮氣) 在源柜中混合, 混合后氣流連續流入擴散爐內環(huán)繞晶片四周, 在晶片表面沉積上化合物摻雜劑, 進(jìn)而與硅反應生成摻雜金屬而徙動(dòng)進(jìn)入硅。
7. 熏蒸氣體(Sterilizing Gases) :具有殺菌作用的氣體稱(chēng)熏蒸氣體。常用的氣體品種有環(huán)氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、環(huán)氧丙烷等。其滅菌原理是利用烷化作用, 使微生物組織內維持生命不可缺少的物質(zhì)惰化。經(jīng)常使用的是以不同比例配制的環(huán)氧乙烷和二氧化碳的混合氣, 根據用途不同, 環(huán)氧乙烷的含量可以是10 %、20 %和30 %等。也可采用環(huán)氧乙烷和氟利昂12 的混合氣,環(huán)氧乙烷與氟利昂11 和氟利昂12 的混合氣等。殺菌效果與各組分濃度、溫度、濕度、時(shí)間和壓力等因素有關(guān)。熏蒸氣體可以用于衛生材料、醫療器具、化妝品原料、動(dòng)物飼料、糧食、紙鈔、香辣
8. 焊接保護氣體(Welding Gases):氣體保護焊由于具有焊接質(zhì)量好, 效率高, 易實(shí)現自動(dòng)化等點(diǎn)而得以迅速發(fā)展。焊接保護氣體可以是單元氣體, 也有二元、三元混合氣。采用焊接保護氣的目的在于提高焊縫質(zhì)量, 減少焊縫加熱作用帶寬度, 避免材質(zhì)氧化。單元氣體有氬氣、二氧化碳, 二元混合氣有氬和氧, 氬和二氧化碳, 氬和氦, 氬和氫混合氣。三元混合氣有氦、氬、二氧化碳混合氣。應用中視焊材不同選擇不同配比的焊接混合氣。
9. 離子注入氣( Gases for Ion Implantation):離子注入是把離子化的雜質(zhì), 例如P + 、B + 、As+加速到高能量狀態(tài),然后注入到預定的襯底上。離子注入技術(shù)在控制V th(閾值電壓) 方面應用得為廣泛。注入的雜質(zhì)量可通過(guò)測量離子束電流而求得。離子注入工藝所用氣體稱(chēng)離子注入氣, 有磷系、硼系和砷系氣體。
10. 非液化氣體(Nonliquefied Gases):壓縮氣體依據于定壓力和溫度下在氣瓶中的物理狀態(tài)和沸點(diǎn)范圍可以區分為兩大類(lèi), 即液化氣體和非液化氣體。非液化氣體系指除溶解在溶液中的氣體之外, 在2111 ℃和罐裝壓力下完全是氣態(tài)的氣體。也可定義為在正常地面溫度和13789~17237kPa 壓力下不液化的氣體。
11. 液化氣體( Liquefied Gases ):在2111 ℃和罐裝壓力下部分液化的氣體?;蚨x為在正常溫度和172142~17237kPa 壓力下在氣瓶中液化的氣體。壓縮氣體(Compressed Gases) 壓縮氣體是指在2111 ℃下, 在氣瓶中對壓力超過(guò)27518kPa 的任何氣體或混合物; 或與2111 ℃下的壓力無(wú)關(guān), 于5414 ℃下對壓力超過(guò)717kPa 的任何氣體或混合物; 或于3718 ℃下氣體對壓力超27518kPa 的任何液體。
12. 稀有氣體(Rare Gases):元素周期表后族的六種惰性氣體中的任何種氣體, 即氦、氖、氬、氪、氙、氡。前五種氣體均可以空氣分離方法從空氣中提取。
13. 低壓液化氣體(Low P ressu re L iquef ied Gases) :臨界溫度大于70℃的氣體。區分為不燃無(wú) 毒和不燃有毒、酸性腐蝕性氣體; 可燃無(wú) 毒和可燃有毒、酸性腐蝕性氣體; 易分解或聚合的可燃氣體。此類(lèi)氣體在充裝時(shí)以及在允許的工作溫度下貯運和使用過(guò)程中均為液態(tài)。包括的氣體品種有氟二氯甲烷、二氟氯甲烷、二氟二氯甲烷、二氟溴氯甲烷、三氟氯乙烷、四氟二氯乙烷、五氟氯乙烷、八氟環(huán)丁烷、六氟丙烯、氯、三氯化硼、光氣、氟化氫、溴化氫、二氧化硫、硫酰氟、二氧化氮、液壓石油氣、丙烷、環(huán)丙烷、丙烯、正丁烷、異丁烷、1- 丁烯、異丁烯、順- 2-丁烯、反- 2- 丁烯、R142b、R 143a、R152a、氯乙烷、二甲醚、氨、乙胺、甲胺、二甲胺、三 甲胺、甲硫醇、硫化氫、氯甲烷、溴甲烷、砷烷、1, 3—丁二烯、氯乙烯、環(huán)氧乙烷、乙烯基甲醚、溴乙烯。
14. 高壓液化氣體(H igh P ressu re L iquef iedGases) :臨界溫度大于或等于- 10℃且小于或等于70℃的氣體。區分為不燃無(wú) 毒和不燃有毒氣體; 可燃無(wú) 毒和自燃有毒氣體; 易分解或聚合的可燃氣體。此類(lèi)氣體充裝時(shí)為液態(tài),但在允許的工作溫度下貯運和使用過(guò)程中其蒸汽壓隨溫度的升高而升高, 超過(guò)臨界溫度時(shí)蒸發(fā)為氣體。所包括的氣體品種有氧化二氮、二氧化碳、三氟甲烷、三氟氯甲烷、三氟溴甲烷、六氟乙烷、六氟化硫、氙、氯化氫、乙烷、乙烯、1, 1- 二氟乙烯、硅烷、磷烷、氟乙烯、乙硼烷。
- 上一篇: 為二氧化碳“鳴冤”
- 下一篇: 暫時(shí)沒(méi)有數據